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PVT法长晶炉——电阻炉
HVPE 法单晶生长设备 —立式
LPCVD设备
技术指标 /Technical Parameters:
加热温度:1100℃、1600℃(高温HVPE)
Heating Temperature: 1100℃, 1600°C (high-temperature HVPE)
加热方式:电阻
型号: PVT法长晶炉——感应炉
型号: HVPE 法单晶生长设备 —立式
型号: LPCVD 设备
型号: LPCVD设备
山东力冠微电子装备有限公司
91370105597048698M
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