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HVPE 法单晶生长设备 —立式
LPCVD设备
氧化/扩散/退火炉
产品应用/Product Applications
适用领域:单晶生长
Relevant Industries: Single Crystal Growth
适用材料: SiC、AIN
Suitable for Processing: SiC (Silicon Carbide), AlN (Aluminum Nitride)
晶圆尺寸: 12/8 英寸
Wafer Size: 12/8 inch
型号: 氧化/扩散/退火炉
型号: PVT法长晶炉——感应炉
型号: HVPE 法单晶生长设备 —立式
型号: HVPE 法单晶生长设备 —卧式
山东力冠微电子装备有限公司
91370105597048698M
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