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HVPE立式晶体生长炉
HVPE卧式晶体生长炉
导模法晶体生长炉
产品详情
1. 温度范围:100-1830℃。
2. 进口发热体,工作温度精确度达±0.5℃。
3. 坩埚具有旋转功能,可根据需要设置旋转速度和方向。
4. 设备可用于2-4-6-8英寸单晶生长需求,可根据客户需求定制化所需其它功能。
型号: 晶体提拉炉
型号: 坩埚下降提拉炉
型号: LPE氮化物晶体生长炉
型号: 导模法晶体生长炉
山东晶升电子科技有限公司
91370102MA3NC9K27N
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