高级会员
已认证
首页
公司介绍
产品中心
技术文章
访客留言
联系我们
HVPE立式晶体生长炉
HVPE卧式晶体生长炉
VB晶体生长炉(氧化镓)
产品详情
1.高生长速率、低缺陷密度。
2.横向纵向生长比率高、孔洞少,可以生长大面积厚膜。
3.外延速率:≥200微米/小时。
4.氧化镓异质外延厚度:>10微米。
5.外延片尺寸:2/4/6/8英寸。
型号: 晶体提拉炉
型号: 坩埚下降提拉炉
型号: LPE氮化物晶体生长炉
型号: 导模法晶体生长炉
山东晶升电子科技有限公司
91370102MA3NC9K27N
分类
留言类型
需求简述
联系人
单位名称
电子邮箱
手机号
图形验证码