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HVPE卧式晶体生长炉
VB晶体生长炉(氧化镓)
导模法晶体生长炉
产品详情
1. 高生长速率、低缺陷密度。
2. 横向纵向生长比率高、孔洞少,可以生长大面积厚膜。
3. 单晶生长速率:≥100微米/小时。
4. 产品尺寸:2/4/6/8英寸。
型号: 晶体提拉炉
型号: 坩埚下降提拉炉
型号: LPE氮化物晶体生长炉
型号: 导模法晶体生长炉
山东晶升电子科技有限公司
91370102MA3NC9K27N
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