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SCG200系列半导体级单晶硅炉
多线切割机SCMWC10
氮化铝长晶炉ANET600系列
应用领域:主要用于生产6-12英寸碳化硅单晶衬底。
产品描述
技术指标
设备型号
设备尺寸
适用衬底尺寸
PVT
2400℃
极限真空5x10-4Pa,压升率≤5Pa/12h
气体类型:Ar、N₂、H₂等
型号: ANET600系列
型号: HC-SCMP系列
型号: SCRP1200系列
型号: SCG200MCZ
南京晶升装备股份有限公司
91320192589410351R
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