应用领域：主要用于 2/4inch PVT法氮化铝单晶生长及原料提纯。
产品描述
| 参数项目 | 技术指标 |
| 设别型号 | ANET600 |
| 设备尺寸 | 3000x2100x2800mm |
| 长晶方法 | PVT |
| 适用衬底尺寸 | 2/4英寸 |
| 最高使用温度 | 2400℃ |
| 加热方式 | 加热 |
| 真空系统 | 极限真空5x10-4Pa，压升率≤10Pa/12h |
| 气路系统 | 气体类型：Ar、N2、H2 |
发展历程
公司持续创新，业务范围不断延伸，向我们的愿景迈进!
2025
总部生产及研发中心项目正式投入使用
2024
迭代产品技术，拓展产品序列
2023
公司首次公开发行股票并在上交所科创板上市
2022
公司在科创板IPO首发过会
2021
首台12英寸半导体级单晶硅炉获得海外客户订单，公司引进多家知名投资机构。
2020
进行首轮外部融资，公司改制更名为南京晶升装备股份有限公司。
2019
12英寸半导体单晶硅炉、碳化硅单晶炉开始批量销售，同时开展氮化铝、砷化镓等设备的研发。
2018
首台第三代化合物半导体碳化硅单晶炉正式交付客户。
2017
启动第三代化合物半导体碳化硅单晶炉的研发。
2016
首台12英寸半导体级单晶硅炉研制成功，年底首根12英寸晶棒在上海新昇成功下线。
2015
南京晶能半导体科技有限公司注册成立。
2014
启动12英寸半导体级单晶硅炉研发项目。
2013
成立美国研发中心LP。
2012
公司注册成立，同年6月85kg-125kg蓝宝石单晶炉推向市场
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