紧凑布局 适用广泛

用于6/8/12英寸导电和高纯半绝缘型SiC晶体生长，多加热器设计允许灵活的工艺和热场设置，上装载结构可实现便捷的开装炉及维护操作，同时设备拥有高精度控温、控压能力，工艺性能稳定优良。

技术参数

成熟的热场设计

轴径分离，有利于缺陷控制；良好的径向温场，可实现低应力，低裂损，晶体厚度可达20-30mm。

工艺适配性

可配备多个加热器并独立控制，便于调整温度梯度。

智能化

一键启动、可集中监控，人员需求少，可根据客户需 求，定制长晶环节自动化生产线。

其他优势

上下料方便拆卸，热场使用寿命长，坩埚提拉稳定性 好，电源抗干扰，稳定性强。

产品特点