3C N型SiC具有更高的电子迁移率（3C-SiC，1100 cm2/V∙s；4H-SiC，900 cm2/V∙s），同时由于3C-SiC具有更小的禁带宽度，可使器件在氧化层制备上具有更小的FN隧穿电流以及可靠性，能大幅度提高器件产品良率。

晶格领域已建成4-6寸液相法碳化硅衬底试验线，6-8寸液相法碳化硅衬底试验线也于2025年完成建设。

晶格领域已成功突破4-8英寸p型和4-6寸3C-n型碳化硅单晶生长技术，我司专注于半导体晶体材料的技术研发，致力于在晶体尺寸控制、缺陷密度降低及厚度均匀性等关键指标上实现持续突破。