产品介绍

利用液相法生长的P型碳化硅衬底具有低电阻、高掺杂浓度、高品质等优势，能满足n沟道SiC IGBT、GTO等高压双极型器件的制备需求。

主要指标

晶型：4H/6H     尺寸：50.8±0.38 mm              

厚度：350±25μm   微管密度：＜0.1 cm-2

电阻率：0.06~0.11 Ω∙cm