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4英寸3C N型碳化硅衬底
3C N型碳化硅衬底
2英寸低阻高掺p型碳化硅衬底
主要指标
晶型:4H/6H 尺寸:149.5~150 mm
厚度:350±25 μm 微管密度:<0.1 cm-2
电阻率:0.06~0.11 Ω∙cm
型号: 3C N
型号: 4英寸3C N
型号: 4英寸
型号: 2英寸
北京晶格领域半导体有限公司
91110113MA01T1BF1M
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