主要用于LED晶圆芯片的外延层薄膜材料（GaN、SiO2 等）的ICP刻蚀制程、半导体扩散用精密陶瓷零件及半导体晶圆的MOCVD外延制程。

采用高纯无压烧结碳化硅陶瓷材料，具有硬度高，耐腐蚀、耐磨损，使用寿命长等特点，并且产品精度高、晶圆外延层刻蚀均匀性好。直径范围：Φ50~500mm，托盘盘厚度：3~20mm，可设计和制造各种非标产品。