ICP-RIE等离子体刻蚀系统

该系统通过使用独特的龙卷风式线圈电极，有效地产生稳定、高密度等离子体，从而实现对硅以及各类金属薄膜和复合半导体的高精度各向异性蚀刻。

特性

可处理最大尺寸为230毫米(3英寸X5.4英寸，3.08英寸x1英寸)的晶圆。

对称抽气设计与TMP结合，形成高效气流

优化的气体歧管，可均匀输送工艺气体

可选的光学/干涉式终点检测系统可在多次工艺运行中实现精确蚀刻深度控制。

工作台的ESC和He冷却以及反应腔内侧壁的温度控制，可在稳定条件下进行蚀刻