半导体在线讯 近日，长电科技正式宣布，成功完成基于玻璃通孔（TGV）结构与光敏聚酰亚胺（PSPI）再布线（RDL）工艺的晶圆级射频集成无源器件（IPD）工艺验证。此次验证通过测试结构的试制与实测评估，充分证实了在玻璃基底上构建三维集成无源器件的可制造性与显著性能优势。

当前移动设备和物联网设备市场正经历着史无前例的高速增长。尽管数字电路在摩尔定律的驱动下继续增加着集成度，但射频电路却无法按相同比例减小尺寸。因此射频电路尤其是无源器件部分的进一步集成，已经成为系统级封装（SiP）技术的关键。为了满足不断增长的需求、减小尺寸和成本、增加功能，IPD技术已成为射频前端设计的一种可行性技术。

基于IPD/TGV工艺开发的电感 来源：《基于TGV/IPD工艺的功率分配器研究与设计》（钱州强）

长电科技是全球领先的集成电路制造与技术服务提供商，可面向全球半导体客户提供一站式、全流程芯片成品制造解决方案，服务涵盖晶圆级封装（WLP）、2.5D/3D封装、系统级封装（SiP）、倒装芯片封装、引线键合封装及各类主流先进封装解决方案，产品广泛应用于汽车电子、人工智能、高性能计算、高密度存储、网络通信、智能终端、工业医疗、功率与能源等核心领域。

随着5G通信的持续渗透和6G技术的前瞻布局，射频系统对带宽、线性度与集成度的要求不断升级，传统封装技术已难以满足下一代通信技术的发展需求。而玻璃基板凭借极低的介电常数和损耗因子、优异的热机械稳定性等优势，成为突破技术瓶颈的关键载体，TGV技术则通过在玻璃基板上构建垂直贯穿的导电通道，为芯片间及芯片与封装基板之间搭建起最短的信号传输路径，完美适配高频通信的需求。

长电科技此次创新采用TGV技术构建3D互连骨架，在玻璃基板上实现了电感、电容等关键无源结构的高效集成，并对传统平面电感进行升级，打造出性能更优的3D电感结构。这一设计的核心优势的在于有效降低高频信号传输损耗，同时大幅提升器件品质因数（Q值），在既定测试条件下，该3D电感的Q值较同等电感值的平面结构提升接近50%，性能表现显著优于传统硅基IPD技术路线。

TGV IPD示意图 来源：长电科技

此次工艺验证的成功，对中国半导体产业发展具有重要意义。目前全球半导体行业正竞逐先进封装制高点，长电科技的技术突破，不仅填补了国内相关领域的技术空白，更助力中国封测产业从跟随向并跑、领跑跨越，为5G、6G通信技术的自主可控发展提供了重要支撑。相信未来，随着相关技术的规模化量产，将进一步带动玻璃基板、材料、设备等整个国产供应链升级，为中国半导体产业高质量发展注入新动能。

参考来源:

长电科技官微

钱州强.基于TGV/IPD工艺的功率分配器研究与设计