一、设备结构
二、设备概述
碳化硅晶体生长炉主要用于物理气相传输法（PVT）生长大尺寸、高质量SiC 单晶。
三、技术优势
1、采用双线圈设计，基于多物理场仿真模拟，分别优化两个线圈的间距、匝数、线圈位置等参数实现籽晶与料源温场的独立控制，获得大尺寸高质量碳化硅生长的温场。
2、开展坩埚独立旋转机构设计研究，创新型的在坩埚旋转结构中引入独立支撑设计，使坩埚在生长过程中独立于保温旋转，降低保温对坩埚温场的影响。解决碳化硅单晶生长中因炉次之间保温损耗及变形导致温场不可控的难题，提升晶体生长成品率。
3、结合数值模拟和理论计算，优化坩埚和温度梯度结构，揭示晶体结晶和动力学过程，突破6英寸SiC 晶体的制备工艺，有力解决SiC 晶体缺陷富集的难点问题。
四、设备参数
| 石英反射器 | 直径440mmx900mm | 电源频率，HZ | 50±1 |
最高操作温度2600° C （氩气中） |
| 相数 | 3 |
| 工作气体 | 氩气，氮气 | 压缩气体，Mpa | 0.6 |
| 最大真空值 Torr | 10-5 Torr | 最大功率，kw | 50 |
| 发电机功率 kw | 70kw | 晶体生长天数，天 | 7 |
| 发电机功率频率 kHz | 12kHz | 氮气消耗量，m3/炉 | ≤0.25 |
| 自动化参数控制系统 |
| 电极接法 | △ |
| 冷却系统 | 50kW冷却装置（闭合电路） | 设备外形尺寸（长x宽x高）mm | 920x920x2790 |
| 电源电压，V | 380±19 | 最大电流，A | 90 |
| 输出电压，V | 500-550 |
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注：可根据客户要求，进行定制服务
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