专业用于量测晶圆三维翘曲（Bow，Warp）、薄膜应力（Stress）等参数的晶圆三维测量系统，广泛应用于半导体晶圆切磨抛生产监控、半导体薄膜制程工艺研发和监控

优势

✔️ 全口径均匀采样测量晶圆翘曲，采样间隔最小可至0.1mm

✔️ 直观展现薄膜导致的晶圆形变，输出整面薄膜应力分布和任意角度的曲率及应力

✔️ 丰富的软件分析功能，包括：三维翘曲图、晶圆翘曲参数统计(Bow，Warp等)、薄膜应力及分布、应力随时间变化、曲率计算、多项式拟合、空间滤波等多种后处理算法

✔️ 配备SMIF晶圆传输系统

适用对象

12英寸抛光晶圆（硅、砷化镓、碳化硅等）、图形化晶圆、键合晶圆、封装晶圆等；各类薄膜工艺处理的表面

适用领域

    ✔️ 半导体及玻璃晶圆的生产和质量检查
    ✔️ 半导体薄膜工艺的应力监控
    ✔️ 半导体制程和封装减薄工艺翘曲过程监控

测量原理

1.    晶圆翘曲测量原理
 ✔️ SM300_i 创新性应用结构光相位偏折法一次性测量晶圆全口径的3D翘曲轮廓，晶圆平放在平面chuck上，根据晶圆表面反射的结构光图案的图像相位，计算出晶圆表面全口径的反射法线矢量，再通过积分计算出晶圆的全口径三维轮廓，进而输出晶圆的整面翘曲参数Bow，Warp。
 ✔️ SM300_i 采用均匀采样方式测量晶圆全口径轮廓，并采用400-760nm宽波段光源，适用于各种晶圆基底材料和各种镀膜类型的反射特性,无需根据样品表面反射率进行光源切换。

2.    薄膜应力测量原理
  ✔️ 晶圆制程中会在晶圆表面反复沉积薄膜，基板与薄膜材料特性的差异导致晶圆翘曲，翘曲和薄膜应力会对工艺良率产生重要影响。SM300_i 通过测量附着在晶圆表面的薄膜引起的晶圆翘曲变化量来计算薄膜应力；根据结构光偏折法测量薄膜附着前后全口径的晶圆曲率半径变化量，按照Stoney公式计算出薄膜应力。
  ✔️ SM300_i 能够不拟合就计算全口径翘曲变形量，避免了传统方法测量单一或正交直径方向的翘曲值计算翘曲应力的误判风险，具有更高的可靠性。

实测案例