基本信息
8英寸
直径200.0mm+0mm/-0.5mm
表面取向4°偏向±0.5°
主参考边长度Notch
主参考面取向/
Notch取向<1100>士1.0°
Notch角度90°+5°/-1°
Notch深度距边1mm+0.25mm/-0mm
副参考边无
厚度500.0um士25.0um
晶型4H
导电类型n-type
电力电子器件
通过在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层,制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件,应用在新能源汽车,轨道交通以及大功率输电变电等领域。