当前，碳化硅（SiC）作为第三代半导体核心材料，在新能源汽车、光伏储能、5G通信、AI大数据、半导体先进封装、航空航天等领域快速渗透，已成为全球半导体产业的前沿制高点。在“中国制造2025计划”和“十四五”规划中均被列为重点发展领域，但我国与国际先进水平相比，在碳化硅晶体缺陷控制、生长速率提升、加工精度优化、良品率改善等关键技术环节仍存在差距，亟需通过产学研协同破解难题。

在此背景下，关键材料与制备工艺的协同创新成为突破瓶颈的核心路径之一。为加快推动我国SiC产业技术突破与成果转化，中国粉体网将于2026年5月28日在安徽·合肥举办 “第三代半导体 SiC 晶体生长及晶圆加工技术研讨会”，大会将汇聚国内行业专家、学者、技术人员、企业界代表围绕晶体生长工艺、关键原材料、生长设备及应用、碳化硅晶片切、磨、抛技术等方面展开交流探讨。